文 | 半导体产业纵横
10 月 21 日，佳能披露增产计划，明年半导体光刻设备的产量最高将接近今年的两倍。就在前一天，尼康宣布启动更高精度数字光刻设备的研发，继续布局先进封装市场。
一周前，全球光刻机龙头 ASML 在第三季度财报中披露，客户对 2027 年、2028 年的设备需求已超过现有扩产计划，甚至开始询问 2029 年、2030 年的供货。公司计划明年将低数值孔径 EUV 和浸没式 DUV 产能各提高 30％，并探索让后年的增幅超过 30％。与此同时，与主要客户的定价谈判已经完成，部分关键产品将提价。
而在产业链上游，通快预计，新财年 EUV 业务订单和收入均将实现两位数增长；JSR 用于金属氧化物光刻胶最终生产工序的韩国工厂，也于 9 月底竣工。
扩产与提价接踵而至，光刻产业的新一轮投资热潮将延伸到哪里？
扩产不只发生在 EUV
佳能将利用去年建成的宇都宫新厂等设施，落实明年的增产计划。负责产业设备业务的武石洋明在 10 月 21 日的采访中表示，不仅中国台湾、韩国和中国大陆，全球多地的半导体厂商都在推进投资，相关需求可能延续到 2028 年。佳能的 i 线光刻机用于存储和功率器件的部分制造工序，这些市场的扩产也在增加设备需求。
在先进后道光刻领域，佳能的设备询价从 2025 年中开始急增。公司近期披露，计划到 2029 年将这类设备的产能较 2026 年提高 50％，并继续开发大尺寸基板产品。随着封装面积扩大，芯片之间的连接线路也要在更大范围内制造，佳能在提高供货能力的同时，还要让设备处理更大的基板，才能接住客户后续扩产。
在晶圆制造端，美光 10 月 21 日公布了下一步 DRAM 工艺安排：引入 EUV 的 1 γ 工艺已进入量产，下一代 1 δ 计划于 2027 年下半年放量。ASML 预计，今年面向存储客户的设备销售额将增长约 75％，面向逻辑客户的增幅约为 10％。公司在解释存储业务增长时，明确提到了客户扩产，以及先进 DRAM 工艺中 EUV 使用增加这两项动力。
ASML 预计今年低数值孔径 EUV 产出约 65 台；浸没式 DUV 原本计划减产，如今也将交付目标调整到与上年相当的水平。要继续扩大供应，公司还需调整现有厂房空间、缩短装配和测试时间。其埃因霍温新园区首期预计 2029 年投入使用，近期增产仍主要依靠现有设施。
在接单方面，ASML 已陆续收到 2028 年的订单，但对 2029 年、2030 年的采购意向，暂未接受正式订单。公司需要先汇总各家客户的需求，再对照自身届时能够提供的产能安排分配，避免过早向部分客户承诺供货，挤占其他长期客户的份额。
配资排行平台ASML 第三季度包含服务及现场选件的存量设备业务收入约 33 亿欧元，比指引高出约 4 亿欧元，超出的部分主要来自升级需求。客户通过升级已安装的设备提高处理能力，不必先增加同等规模的厂房空间，就能获得新增晶圆产能。
2027 年初，ASML 还计划少量推出 NXE：3800F，将每小时晶圆处理量从上一代的 230 片提高到 260 片；下一代关键层浸没式 DUV 设备也将把这一指标提高到 330 片。对客户而言，多买机器与让每台机器加工更多晶圆，正成为同时推进的扩产方案。
这些新机和升级产品，也进入了 ASML 的新一轮定价安排。公司已与主要客户完成谈判，称此次提价主要针对高端量产产品，升级产品的价格也会随之调整，影响将在 2027 年部分体现、2028 年充分体现，未公布统一涨幅。客户需要比较交付时间、升级支出和新增晶圆产出，设备单价只是其中一项。
尼康、佳能寻找新突破
10 月 13 日，尼康公布数字光刻设备 DSP－110，计划 2027 年 4 月发售。去年 7 月，公司已开始接受 DSP－100 的订单，将半导体曝光技术与平板显示用的多镜头技术结合起来，进入后道光刻设备市场。
这类设备面对的是大型中介层和多层封装基板。多颗芯片放进同一封装之后，芯片之间需要更密集的连接线路，封装面积也在扩大，曝光设备必须兼顾布线精度和大面积加工。尼康把既有的精密曝光与大面积曝光能力用到这一市场，争取的是封装厂的投资，不必先与 EUV 争夺前道纳米级晶体管制造工序。
DSP－110 采用无掩模数字光刻，不必为每套线路图形制作实体光掩模，能够处理大尺寸方形基板，同时支持 300 mm 晶圆。封装厂调整线路设计时，可以减少制作新掩模的准备环节；设备对不同基板规格的支持，也为客户后续调整封装生产方案留出余地。
新机的线宽和间距分辨率为 1.5 μ m，在 510 mm × 515 mm 基板条件下，每小时可处理 72 片，比前代提高约 40％。值得注意的是，前代分辨率为 1.0 μ m。尼康这次重新设计光学系统，优先提高生产速度，并扩大允许焦点偏移的范围，使设备更容易适应不同基板的表面条件。
如果当前产品的布线要求能够满足，提高每小时产出就有助于降低加工成本。未来需要更细线路时，DSP－110 还可以更换光学系统，升级到 1.0 μ m。
10 月 20 日，尼康进一步宣布，启动 0.5 μ m 数字光刻系统研发，并获得日本新能源产业技术综合开发机构的项目支持。新项目面向先进封装的大面积、高精度曝光需求，目标是把不同层线路的对准误差控制在 ± 0.15 μ m 以内，为现有产品指标的一半。尼康尚未给出这一项目的上市时间表。在提高现有设备生产速度的同时，公司也在为下一步更密集的封装布线开发产品。
在扩大现有光刻设备供应之外，佳能还在推进面向晶圆制造的纳米压印技术。10 月 1 日，公司披露，自 2023 年推出纳米压印设备以来，采用设备的客户正进行量产线优化的最后调整。工程师在此次访谈中介绍了设备进入客户现场后，需要处理的具体问题。
纳米压印把带有电路图形的模板直接压在晶圆表面的树脂上，转移出所需图案。省去复杂投影曝光的同时，接触过程带来了颗粒污染、模板损伤等问题。芯片由多层结构叠加而成，各层图形还必须准确对齐，单次压印出细小线路并不足以完成量产。
佳能工程师提到，方形模板处理圆形晶圆边缘时，接触容易不稳定。团队不仅要调整压印过程，还要考虑后续刻蚀等步骤对图形的影响。一位负责系统控制的工程师则介绍，为达到量产时要求的图形转移精度，团队分析了一个多月的数据，找到细微误差的根源，再通过硬件改进解决。
佳能还需要与集团内企业共同改进模板清洗等配套设备，延长模板寿命，将维护开支纳入客户的成本核算。纳米压印的推进已经超出单机性能展示，进入整线配合阶段。不过，公司尚未公布这些客户的量产规模、良率和正式投产时间，后续设备采购仍要看客户导入后的实际运行结果。
上游配套加快布局
10 月 15 日，德国通快公布截至今年 6 月底的财年业绩，EUV 业务收入达到 7.91 亿欧元，同比增长 9.2％，高于公司整体 0.2％的增幅。通快为 ASML 供应高功率驱动激光器，激光击中锡滴形成等离子体，进而产生曝光所需的极紫外光。
在最新年报中，通快介绍了新一代 MK5 高功率激光器。除了性能，它强调的是更快安装和更稳定运行：通过模块化设计、更多传感器及诊断系统，维修人员可以更快找到故障，缩短停机时间。对一座正在增加晶圆产出的工厂，光源能否持续工作，与光刻机的标称处理速度同样重要。
通快预计，2026/27 财年 EUV 业务订单和收入都将实现两位数增长。随着客户提高晶圆产出，光源供应商也要同时跟进设备交付和现场维护。
JSR 的动作则落在材料供应上。9 月 30 日竣工的韩国梧仓工厂，承担金属氧化物光刻胶，也就是 MOR 的最终生产工序。公司希望借此加强当地制造和质量保证，更快响应韩国主要客户的需求。
这项建设在 2024 年公布时，JSR 就将韩国主要客户考虑采用 MOR 作为投资背景，并计划 2026 年启动运营。如今，工厂建设推进到竣工，客户导入所需的本地供应条件也向前迈了一步。生产环节提前布局，使材料企业能够跟随晶圆厂的新工艺开发准备供货，但客户实际采用的节点和规模仍未披露。
光刻胶负责把曝光形成的图形保留下来，材料反应会影响线路边缘是否平整，以及相邻线路会不会意外连在一起。JSR 在同日发布的年度报告中指出，不同客户的工艺和设备条件，需要材料供应商分别配合。把生产、质量保证和技术支持放到客户附近，目的不仅是缩短运输距离，也包括更快处理现场问题。
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JSR 计划到 2030 年度，将电子材料业务收入扩大到 2025 年度的 1.7 倍，并继续把光刻材料作为主要增长动力。韩国工厂是公司加强亚洲生产和客户配合的一个动作。在芯片厂确定新工艺、准备放量的过程中，材料企业需要提前进入开发和验证，才能争取后续量产带来的持续供货。
面向更远期的工艺演进，ASML 与蔡司研究人员在 10 月发表的论文中，提出了数值孔径至少为 0.75 的 Hyper NA 系统概念，高于目前高数值孔径 EUV 系统的 0.55。研究目标之一，是尽可能沿用现有光源、掩模和设备制造基础设施。双方尚未承诺将这一方案投入生产，现阶段仍是下一代系统的研发准备。
结语
前道曝光、封装布线和材料配套，都在承接客户的新投入。现有设备升级已带来当期收入，新机扩产、产品发售和新工艺导入则各有进度。光刻产业的增长空间在扩大配资炒股平台成立多久，但厂商能否把投入变成持续收入，还取决于交付、量产验证和稳定供货。
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